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                    半導體氧化制程的一些要點

                    發布時間:2020-08-12   點擊次數:365次

                    1)氧化層的成長速率不是一直維持恒定的趨勢,制程時間與成長厚度之重復性是較為重要之考量。

                    2)后長的氧化層會穿透先前長的氧化層而堆積于上;換言之,氧化所需之氧或水汽,勢必也要穿透先前成長的氧化層到硅質層。故要生長更厚的氧化層,遇到的阻礙也越大。

                    3)干氧層主要用于制作金氧半(MOS)晶體管的載子信道(channel);而濕氧層則用于其它較不嚴格講究的電性阻絕或制程罩幕(masking)。前者厚度遠小于后者,1000~1500埃已然足夠。

                    4)對不同晶面走向的晶圓而言,氧化速率有異:通常在相同成長溫度、條件、及時間下,厚度≧厚度>厚度。

                    5)導電性佳的硅晶氧化速率較快。

                    6)適度加入氯化氫(HCl)氧化層質地較佳;但因容易腐蝕管路,已漸少用。

                    7)氧化層厚度的量測,可分破壞性與非破壞性兩類。前者是在光阻定義阻絕下,泡入緩沖過的BOE,BufferedOxideEtch,系HFNH4F16的比例混合而成的腐蝕劑)將顯露出來的氧化層去除,露出不沾水的硅晶表面,然后去掉光阻,利用表面深淺量測儀(surfaceprofileroralphastep),得到有無氧化層之高度差,即其厚度。

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